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Módulos APD de InGaAs

Es un módulo de fotodiodo de avalancha de arseniuro de indio y galio con un circuito de preamplificación que permite amplificar una señal de corriente débil y convertirla en una señal de voltaje para lograr el proceso de conversión de amplificación de señal fotoeléctrica de fotones.

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APD de cuatro cuadrantes

Consta de cuatro unidades iguales de fotodiodo de avalancha de Si que proporciona una alta sensibilidad que va desde UV hasta NIR.La longitud de onda de respuesta máxima es de 980 nm.Capacidad de respuesta: 40 A/W a 1064 nm.

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Módulos APD de cuatro cuadrantes

Consta de cuatro unidades iguales de fotodiodo de avalancha de Si con un circuito de preamplificación que permite amplificar una señal de corriente débil y convertirla en una señal de voltaje para lograr el proceso de conversión de amplificación de señal fotoeléctrica de fotones.

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Módulos PIN de silicio de 850 nm

Es un módulo de fotodiodo Si PIN de 850 nm con circuito de preamplificación que permite amplificar la señal de corriente débil y convertirla en señal de voltaje para lograr el proceso de conversión de amplificación de señal fotoeléctrica de fotones.

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Fotodiodo PIN Si de 900 nm

Es un fotodiodo Si PIN que funciona con polarización inversa y proporciona una alta sensibilidad que va desde UV hasta NIR.La longitud de onda de respuesta máxima es de 930 nm.

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Fotodiodo PIN Si de 1064 nm

Es un fotodiodo Si PIN que funciona con polarización inversa y proporciona una alta sensibilidad que va desde UV hasta NIR.La longitud de onda de respuesta máxima es de 980 nm.Capacidad de respuesta: 0,3 A/W a 1064 nm.

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Módulos PIN de fibra Si

La señal óptica se convierte en señal actual mediante la entrada de fibra óptica.El módulo Si PIN tiene un circuito de preamplificación que permite amplificar la señal de corriente débil y convertirla en señal de voltaje para lograr el proceso de conversión de amplificación de señal fotoeléctrica de fotones.

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PIN Si de cuatro cuadrantes

Consta de cuatro unidades iguales de fotodiodo Si PIN que funcionan a la inversa y proporcionan una alta sensibilidad que va desde UV hasta NIR.La longitud de onda de respuesta máxima es de 980 nm.Capacidad de respuesta: 0,5 A/W a 1064 nm.

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Módulos Si PIN de cuatro cuadrantes

Consiste en cuatro unidades individuales o dobles de fotodiodo Si PIN con circuito de preamplificación que permite amplificar la señal de corriente débil y convertirla en señal de voltaje para lograr el proceso de conversión de amplificación de señal fotoeléctrica de fotones.

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PIN de Si mejorado UV

Es un fotodiodo Si PIN con UV mejorado, que funciona a la inversa y proporciona una alta sensibilidad que va desde UV a NIR.La longitud de onda de respuesta máxima es de 800 nm.Capacidad de respuesta: 0,15 A/W a 340 nm.

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Láser YAG de 1064nm -15mJ-5

Es un láser Nd: YAG de conmutación Q pasiva con una longitud de onda de 1064nm, una potencia máxima de ≥15mJ, una tasa de repetición de pulso de 1~5hz (ajustable) y un ángulo de divergencia de ≤8mrad.Además, es un láser pequeño y liviano y capaz de lograr una salida de alta energía que puede ser una fuente de luz ideal de distancia de alcance para algunos escenarios que tienen requisitos rígidos de volumen y peso, como el combate individual y los UAV se aplican en algunos escenarios.

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Láser YAG de 1064nm-15mJ-20

Es un láser Nd:YAG de conmutación Q pasiva con una longitud de onda de 1064nm, una potencia máxima de ≥15mJ y un ángulo de divergencia de ≤8mrad.Además, es un láser pequeño y liviano que puede ser una fuente de luz ideal de largo alcance en alta frecuencia (20 Hz).

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