Fotodiodo PIN Si de 900 nm
Características
- Estructura iluminada frontal
- Baja corriente oscura
- Alta respuesta
- Alta fiabilidad
Aplicaciones
- Comunicación, detección y alcance de fibra óptica
- Detección óptica de UV a NIR
- Detección rápida de pulsos ópticos
- Sistemas de control para la industria
Parámetro fotoeléctrico（@Ta=25℃）
| Artículo # | Categoría de paquete | Diámetro de la superficie fotosensible (mm) | Rango de respuesta espectral (Nuevo Méjico) |
Longitud de onda de respuesta máxima (Nuevo Méjico) | Capacidad de respuesta (A/W) λ=900nm
| tiempo de subida λ=900nm VR=15V RL=50Ω(ns) | Corriente oscura VR=15V (n / A) | Capacitancia de unión VR=15V f=1MHz (pF) | Cortocircuito (V)
|
| GT101Ф0.2 | Coaxial tipo II, 5501, TO-46, Tipo de enchufe | Ф0.2 |
4～1100 |
930
| 0,63 | 4 | 0.1 | 0.8 | >200 |
| GT101Ф0.5 | Ф0.5 | 5 | 0.1 | 1.2 | |||||
| GT101Ф1 | Ф1.0 | 5 | 0.1 | 2.0 | |||||
| GT101Ф2 | TO-5 | Ф2.0 | 7 | 0.5 | 6.0 | ||||
| GT101Ф4 | T0-8 | Ф4.0 | 10 | 1.0 | 20.0 | ||||
| GD3251Y | TO-8 | Ф6.0 | 20 | 10 | 30 | ||||
| GT101Ф8 | T0-8 | Ф8.0 | 20 | 3.0 | 70.0 | ||||
| GD3252Y | T0-8 | 5,8 × 5,8 | 25 | 10 | 35 |
