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Módulos PIN de silicio de 850 nm

Módulos PIN de silicio de 850 nm

Modelo: GD4213Y/ GD4251Y/ GD4251Y-A/ GD42121Y

Breve descripción:

Es un módulo de fotodiodo Si PIN de 850 nm con circuito de preamplificación que permite amplificar la señal de corriente débil y convertirla en señal de voltaje para lograr el proceso de conversión de amplificación de señal fotoeléctrica de fotones.


  • f614effe
  • 6dac49b1
  • 46bbb79b
  • 374a78c3

Parámetro técnico

Etiquetas de productos

Características

  • Respuesta de alta velocidad
  • Alta sensibilidad

Aplicaciones

  • Fusible láser

Parámetro fotoeléctrico(@Ta=22±3℃)

Artículo #

Categoría de paquete

Diámetro de la superficie fotosensible (mm)

capacidad de respuesta

tiempo de subida

(ns)

Gama dinámica

(dB)

 

Tensión de funcionamiento

(V)

 

Voltaje de ruido

(mV)

 

notas

λ=850nm,φe=1μW

λ=850nm

GD4213Y

TO-8

2

110

12

20

±5±0,3

12

-

GD4251Y

2

130

12

20

±6±0,3

40

(Ángulo de incidencia: 0°, transmitancia de 830nm~910nm ≥90%

GD4251Y-A

10×1.5

130

18

20

±6±0,3

40

GD42121Y

10×0.95

110

20

20

±5±0,1

25

Notas: La carga de prueba de GD4213Y es de 50 Ω, el resto de los demás son de 1 MΩ

 

 


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