Módulos PIN de silicio de 850 nm
Características
- Respuesta de alta velocidad
- Alta sensibilidad
Aplicaciones
- Fusible láser
Parámetro fotoeléctrico(@Ta=22±3℃)
Artículo # | Categoría de paquete | Diámetro de la superficie fotosensible (mm) | capacidad de respuesta | tiempo de subida (ns) | Gama dinámica (dB)
| Tensión de funcionamiento (V)
| Voltaje de ruido (mV)
| notas |
λ=850nm,φe=1μW | λ=850nm | |||||||
GD4213Y | TO-8 | 2 | 110 | 12 | 20 | ±5±0,3 | 12 | - |
GD4251Y | 2 | 130 | 12 | 20 | ±6±0,3 | 40 | (Ángulo de incidencia: 0°, transmitancia de 830nm~910nm ≥90% | |
GD4251Y-A | 10×1.5 | 130 | 18 | 20 | ±6±0,3 | 40 | ||
GD42121Y | 10×0.95 | 110 | 20 | 20 | ±5±0,1 | 25 | ||
Notas: La carga de prueba de GD4213Y es de 50 Ω, el resto de los demás son de 1 MΩ |