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APD de 355nm

Es un fotodiodo de avalancha de Si con una gran superficie fotosensible y UV mejorado.Proporciona alta sensibilidad que va desde UV a NIR.

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APD de 800nm

Es un fotodiodo de avalancha de Si que proporciona una alta sensibilidad que va desde UV hasta NIR.La longitud de onda de respuesta máxima es de 800 nm.

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APD de 905nm

Es un fotodiodo de avalancha de Si que proporciona una alta sensibilidad que va desde UV hasta NIR.La longitud de onda de respuesta máxima es de 905 nm.

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APD de 1064nm

Es un fotodiodo de avalancha de Si que proporciona una alta sensibilidad que va desde UV hasta NIR.La longitud de onda de respuesta máxima es de 1064 nm.Capacidad de respuesta: 36 A/W a 1064 nm.

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Módulos APD de 1064nm

Es un módulo de fotodiodo de avalancha de Si mejorado con un circuito de preamplificación que permite amplificar una señal de corriente débil y convertirla en una señal de voltaje para lograr el proceso de conversión de amplificación de señal fotoeléctrica de fotones.

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Módulos APD de InGaAs

Es un módulo de fotodiodo de avalancha de arseniuro de indio y galio con un circuito de preamplificación que permite amplificar una señal de corriente débil y convertirla en una señal de voltaje para lograr el proceso de conversión de amplificación de señal fotoeléctrica de fotones.

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APD de cuatro cuadrantes

Consta de cuatro unidades iguales de fotodiodo de avalancha de Si que proporciona una alta sensibilidad que va desde UV hasta NIR.La longitud de onda de respuesta máxima es de 980 nm.Capacidad de respuesta: 40 A/W a 1064 nm.

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Módulos APD de cuatro cuadrantes

Consta de cuatro unidades iguales de fotodiodo de avalancha de Si con un circuito de preamplificación que permite amplificar una señal de corriente débil y convertirla en una señal de voltaje para lograr el proceso de conversión de amplificación de señal fotoeléctrica de fotones.

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Módulos PIN de silicio de 850 nm

Es un módulo de fotodiodo Si PIN de 850 nm con circuito de preamplificación que permite amplificar la señal de corriente débil y convertirla en señal de voltaje para lograr el proceso de conversión de amplificación de señal fotoeléctrica de fotones.

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Fotodiodo PIN Si de 900 nm

Es un fotodiodo Si PIN que funciona con polarización inversa y proporciona una alta sensibilidad que va desde UV hasta NIR.La longitud de onda de respuesta máxima es de 930 nm.

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Fotodiodo PIN Si de 1064 nm

Es un fotodiodo Si PIN que funciona con polarización inversa y proporciona una alta sensibilidad que va desde UV hasta NIR.La longitud de onda de respuesta máxima es de 980 nm.Capacidad de respuesta: 0,3 A/W a 1064 nm.

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Módulos PIN de fibra Si

La señal óptica se convierte en señal actual mediante la entrada de fibra óptica.El módulo Si PIN tiene un circuito de preamplificación que permite amplificar la señal de corriente débil y convertirla en señal de voltaje para lograr el proceso de conversión de amplificación de señal fotoeléctrica de fotones.

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