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APD de 355nm

APD de 355nm

Modelo: GD5210Y-0-1-TO5/ GD5210Y-0-2-TO5

Breve descripción:

Es un fotodiodo de avalancha de Si con una gran superficie fotosensible y UV mejorado.Proporciona alta sensibilidad que va desde UV a NIR.


  • f614effe
  • 6dac49b1
  • 46bbb79b
  • 374a78c3

Parámetro técnico

Etiquetas de productos

Características

  • Chip plano iluminado en la parte frontal
  • Respuesta de alta velocidad
  • Alta ganancia de APD

Aplicaciones

  • Médico
  • Biología

Parámetro fotoeléctrico(@Ta=22±3℃)

Artículo #

Categoría de paquete

Diámetro de la superficie fotosensible (mm)

Rango de respuesta espectral (nm)

capacidad de respuesta

λ=355nm

φe=1μW

M=100

(A/W)

Corriente oscura

M=100

(n / A)

Coeficiente de temperatura

Ta=-40℃~85℃

(V/℃)

 

Capacitancia total

M=100

f=1MHz

(pF)

 

Desglose

Voltaje

IR=10μA

(V)

VR=10V

RV=8V

tip.

máx.

mín.

máx.

GD5210Y-0-1-TO5

TO-5

1.8

300~1100

0.22

6.75

3

10

0.4

20

80

200

GD5210Y-0-2-TO5

TO-5

3.0

15

50

50


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