Módulos APD de 1064nm

Modelo: GD6212Y/ GD6213Y/ GD6219Y

Breve descripción:

Es un módulo de fotodiodo de avalancha de Si mejorado con un circuito de preamplificación que permite amplificar una señal de corriente débil y convertirla en una señal de voltaje para lograr el proceso de conversión de amplificación de señal fotoeléctrica de fotones.

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Parámetro técnico

Etiquetas de productos

Características

Chip plano iluminado en la parte frontal
Respuesta de alta velocidad
Alta ganancia de APD

Aplicaciones

Alcance láser
Comunicación láser
Advertencia de láser

Parámetro fotoeléctrico（@Ta=22±3℃）

Artículo #	Categoría de paquete	Diámetro de la superficie fotosensible (mm)	Rango de respuesta espectral (Nuevo Méjico)	Cortocircuito (V)	capacidad de respuesta M=100 λ=1064nm (kV/W)	tiempo de subida （ns）	Banda ancha (Megahercio)	Coeficiente de temperatura Ta=-40℃~85℃ (V/℃)	Potencia equivalente de ruido (pW/√Hz)	Concentricidad (μm)	Tipo reemplazado en otros países
GD6212Y	TO-8	0.8	40～1100	350～500	150	8.8	40	2.2	0.15	≤50	C30950
GD6213Y		0.8			200	2	175	2.2	0.15		C30659-1060-R8BH
GD6219Y		3			280	7	50	2.4	0.27		C30659-1060-3A