Módulos APD de InGaAs

Modelo: GD6510Y/ GD6511Y/ GD6512Y

Breve descripción:

Es un módulo de fotodiodo de avalancha de arseniuro de indio y galio con un circuito de preamplificación que permite amplificar una señal de corriente débil y convertirla en una señal de voltaje para lograr el proceso de conversión de amplificación de señal fotoeléctrica de fotones.

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Parámetro técnico

Etiquetas de productos

Características

Chip plano iluminado en la parte frontal
Respuesta de alta velocidad
Alta sensibilidad del detector

Aplicaciones

Alcance láser
Comunicación láser
Advertencia de láser

Parámetro fotoeléctrico(@Ta=22±3℃）

Artículo #	Categoría de paquete	Diámetro de la superficie fotosensible (mm)	Rango de respuesta espectral (Nuevo Méjico)	Cortocircuito (V)	capacidad de respuesta METRO=10 λ=1550nm (kV/W)	tiempo de subida （ns）	Banda ancha (Megahercio)	Coeficiente de temperatura T_a=-40℃~85℃ (V/℃)	Potencia equivalente de ruido (pW/√Hz)	Concentricidad (μm)	Tipo reemplazado en otros países
GD6510Y	TO-8	0.2	1000～1700	30～70	340	5	70	0.12	0.15	≤50	C3059-1550-R2A
GD6511Y		0.5				10	35		0.21		−
GD6512Y		0.08				2.3	150		0.11		C3059-1550-R08B