Serie de módulos PIN de 850 nm

Características fotoeléctricas (＠Ta＝22±3℃)

Modelo

GD4213Y

GD4251Y

GD4251Y-A

GD42121Y

forma de paquete

TO-8

TO-8

TO-8

TO-8

Tamaño de la superficie fotosensible (mm)

2

2

10×1.5

10×0.95

Voltaje de trabajo (V)

±5±0,3

±6±0,3

±6±0,3

±5±0,1

Voltaje de ruido (mV)

12

40

40

25

Capacidad de respuesta (M/AY)

λ=850nm,φ=1μW

110

130

130

110

Tiempo de subida (ns)

12

12

18

20

Rango dinámico (dB) λ=850nm

20

20

20

20

Observación

La ventana de luz está recubierta con una película de filtro de cinta portadora (0 grados de incidencia, 830nm~910nm transmitancia ≥ 90%), la carga de prueba de GD4213Y es de 50Ω y la carga de prueba de otros productos es de 1MΩ.