Amplificador de potencia miniaturizado de banda S de 5W

Este producto utiliza matriz GaN y utiliza tecnología avanzada de coincidencia en el plano y proceso integrado híbrido de película delgada madura, la eficiencia alcanza más del 50%, es adecuado para ondas continuas y varias condiciones de trabajo de ancho de pulso.

Alta eficiencia de trabajo, paquete de carcasa de metal, fácil de disipar el calor;Buena coincidencia de impedancia de 50 Ω, fácil de usar en cascada.