Serie de módulos 1064nmAPD

Modelo: GD6212Y / GD6213Y / GD6219Y

Breve descripción:

El dispositivo es un módulo de fotodiodo de avalancha de silicio mejorado de 1064nm con un circuito de preamplificador incorporado, que puede amplificar señales de corriente débiles y convertirlas en salidas de señal de voltaje, realizando el proceso de conversión de "amplificación de señal óptica-eléctrica".

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Parámetro técnico

CARACTERÍSTICAS

SOLICITUD

Etiquetas de productos

Características fotoeléctricas (＠Ta＝22±3℃)
Modelo	GD6212Y	GD6213Y	GD6219Y
forma de paquete	TO-8	TO-8	TO-8
Diámetro de la superficie fotosensible (mm)	0.8	0.8	3
Rango de respuesta espectral (nm)	400~1100	400~1100	400~1100
Tensión de ruptura (V)	350~500	350~500	350~500
Capacidad de respuesta M=100 I=1064nm(kV/W)	150	200	280
Tiempo de subida (ns)	8.8	2	7
Ancho de banda (MHz)	40	175	50
Potencia de ruido equivalente (pW/√Hz)	0.15	0.15	2.7
Coeficiente de temperatura de voltaje de trabajo T = -40 ℃ ~ 85 ℃ (V / ℃)	2.2	2.2	2.4
Concentricidad (μm)	≤50	≤50	≤50
Modelos alternativos del mismo rendimiento en todo el mundo	C30950	C30659-1060-R8BH	C30659-1060-3A

Estructura de chip de plano frontal

Alta frecuencia de respuesta

Alta sensibilidad del detector

Alcance láser

LIDAR

Advertencia de láser